8月11日晚间，杨洁科技披露半年报2022年上半年，公司实现营业收入29.51亿元，同比增长41.92%，归母净利润5.87亿元，同比增长70.61%，基本每股收益1.15元
杨洁科技从事的半导体行业是国家鼓励和支持的重点行业经过多年发展，杨洁科技已成为国内为数不多的集单晶硅片制造，芯片设计制造，器件设计与封装测试，终端销售与服务等垂直产业链于一体的大型企业同时重点在MOSFET，IGBT，第三代半导体等高端领域发展无晶圆厂模式根据企业销售额，技术水平，半导体市场份额等综合情况，公司连续几年入围中国半导体行业协会评选的中国十大半导体功率器件前三名企业
目前，杨洁科技的主要产品有单晶硅棒，硅片，外延片，5英寸，6英寸，8英寸电力电子器件芯片，MOSFET，IGBT，SiC系列产品，大功率模块，小信号二极管，功率二极管，整流桥等产品广泛应用于汽车电子，新能源，5G通信，电力电子，安防，工业，消费电子等诸多领域
报告期内，杨洁科技持续优化晶圆线产品结构，不断丰富产品线，拓展高可靠产品规格和高能效产品系列，不断向高端转型PSBD芯片和PMBD芯片在新能源汽车领域大量应用，产品规格不断扩大，产量占比大幅提升弗雷德整流芯片200V—1200V量产，续流芯片650V，1200V已量产，产量持续增加，TSBD芯片已广泛应用于清洁能源领域，产品规格不断扩大生产线覆盖6寸和8寸平台，ESD芯片完成了普通电容的单向和双向产品开发，并开始量产同时，全面提升TVS芯片的产品性能，有助于进一步提升公司在细分市场的领先地位
半年报显示，基于8英寸平台的Trench 1200V IGBT芯片，杨洁科技已完成10A—200A完整系列的开发，相应的IGBT系列模块也已同步投放市场，专注于工业控制，光伏逆变器，新能源汽车等应用领域报告期内，市场份额稳步上升，公司逐渐成为集芯片设计和模块封装为一体的IGBT模块市场的重要参与者
同时，杨洁科技瞄准清洁能源市场，采用沟槽场截止IGBT技术，采用高密度器件结构设计和先进的背面加工工艺，显著降低器件的饱和压降和关断损耗，并成功上市。
1200V系列，650V系列TO220，TO247，TO247PLUS产品，性能达到国外主流厂商标准上半年，公司在光伏行业取得了优异的成绩，产品得到了行业顶级客户的广泛认可，稳定获得了大量订单
半年报显示，今年上半年，杨洁科技继续扩大和扩充核心业务领域的产能，IGBT和FRD晶圆产能增长超过3倍，MOSFET和TMBS晶圆产能增长超过50%，车规封装产能增长超过5倍，有效支撑了公司在汽车电子，清洁能源等核心板块的业绩快速增长。
销售渠道方面，报告期内，杨洁科技海外销售收入同比增长超过100%，海外销售占比超过30%，为公司经营业绩的快速增长提供了有力支撑，形成了国内外市场双循环，相互促进的发展新格局。
此外，杨洁科技不断加大对第三代半导体芯片产业的投入，加大对SiC，GaN功率器件等产品的研发力度，进一步满足公司后续战略发展需求。
2022年上半年，杨洁科技成功研发650V 2A—40A和1200V 2A—40A SiC SBD产品，获得国内TOP10光伏逆变器客户认可，并完成批量出货在SiC MOSFET产品中，SiC 1200V 80mohm系列产品得到了客户的认可，并已实现量产200v兆欧产品也将于今年第四季度推出第三代半导体产品的不断推出，为公司实现全系列半导体功率器件的一站式供应奠定了坚实的基础
